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使用雙向可控矽的十大指南

釋出時間: 2023-01-11 10:12:24    人氣◕▩│☁:35 次

標準1◕▩│☁:為了接通閘流體(或三端雙向可控矽開關)☁▩•,必須有大於IGT的柵極電流☁▩•,直到負載電流達到IL₪✘₪◕。防反二極體繼電器100%負載電流老化試驗☁▩•,透過歐共體CE認證☁▩•,國際ISO9000認證☁▩•,國內3C認證₪✘₪◕。可控矽通常被稱之為功率半導體模組(semiconductor module)₪✘₪◕。最早是在1970年由西門康公司率先將模組原理引入電力電子技術領域☁▩•,是採用模組封裝形式☁▩•,具有三個PN接面的四層結構的大功率半導體器件₪✘₪◕。降壓矽鏈繼電器輸入訊號與TTL和COMS數字邏輯電路相容₪✘₪◕。 必須根據可能遇到的低溫來滿足和考慮該條件₪✘₪◕。

規則2: 若要斷開(開關)閘流體(或雙向閘流體) ☁▩•,負載電流必須處於兩者之間☁▩•,才能恢復到截止狀態₪✘₪◕。這些條件必須在可能的高操作溫度下滿足₪✘₪◕。

準則3◕▩│☁:在設計雙向可控矽觸發電路時☁▩•,儘可能避免使用3+象限(wt2-☁▩•,+)₪✘₪◕。

準則4◕▩│☁:為了能夠減少雜波進行吸收☁▩•,將柵極結構連線的長度逐漸變小☁▩•,可以透過直接結果返回線直接連線到MT1(或陰極)₪✘₪◕。如果我們使用硬線☁▩•,則使用雙螺旋線或遮蔽線₪✘₪◕。閘門與MT1之間的電阻變化小於或者等於1K₪✘₪◕。高頻旁路電容器與柵電阻串聯₪✘₪◕。另一種方式解決問題方案是使用H系列低靈敏度以及雙向可控矽₪✘₪◕。

規則5◕▩│☁:如果DVD/DT或DVCOM/DT有問題☁▩•,請在MT1和MT2之間新增一個RC緩衝電路₪✘₪◕。如果高dicom/DT可能導致問題☁▩•,增加幾個mh電感和負載串聯₪✘₪◕。另一個解決方案是使用高通訊雙向矽₪✘₪◕。

標準6◕▩│☁:在供電嚴重異常的瞬態過程中☁▩•,如果可能超過三端雙向可控矽開關的電壓互感器☁▩•,則採取以下措施之一◕▩│☁:在負載上設定多個muh串聯電感☁▩•,限制DIT/DT電壓互感器;連線電源☁▩•,在電源側增加濾波電路₪✘₪◕。

準則7: 透過選擇合適的觸發電路和避免象限條件☁▩•,可以大大提高雙向閘流體的容量₪✘₪◕。

標準8◕▩│☁:如果可能超過三端雙向可控矽開關的DIT/DT☁▩•,則在負載上串聯一個沒有芯電感或幾個 μ H的負溫度係數的熱敏電阻₪✘₪◕。 另一個解決方案是電阻負載的零電壓傳導₪✘₪◕。

規則9◕▩│☁:當裝置固定在散熱器上時☁▩•,避免對雙向控制可控矽施加一定壓力☁▩•,然後進行焊接連線導線₪✘₪◕。不要將鉚釘芯軸放在教學裝置管理介面件的側面₪✘₪◕。

規則10◕▩│☁:確保Rthj-a足夠低☁▩•,可以長時間可靠地工作☁▩•,以保持TJ不高於Tjmax☁▩•,對應於可能的高環境溫度₪✘₪◕。


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