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使用可控矽的十大準則

釋出時間: 2022-12-29 09:38:08    人氣₪▩╃╃:100 次

眾所周知▩◕☁,閘流體的應用和優點使其在電力工業中發揮著越來越重要的作用·☁。防反二極體繼電器100%負載電流老化試驗▩◕☁,透過歐共體CE認證▩◕☁,國際ISO9000認證▩◕☁,國內3C認證·☁。可控矽通常被稱之為功率半導體模組(semiconductor module)·☁。最早是在1970年由西門康公司率先將模組原理引入電力電子技術領域▩◕☁,是採用模組封裝形式▩◕☁,具有三個PN接面的四層結構的大功率半導體器件·☁。降壓矽鏈繼電器輸入訊號與TTL和COMS數字邏輯電路相容·☁。裝置的壽命是有限的·☁。因此▩◕☁,為了延長閘流體的使用壽命▩◕☁,必須注意正確的使用標準▩◕☁,以下是閘流體使用的10大原則·☁。

       準則1

為了開啟閘流體(或三端雙向可控矽開關)▩◕☁,必須有一個柵極電流≧IGT▩◕☁,直到負載電流達到≧IL·☁。必須滿足這一條件▩◕☁,並根據可能遇到的較低溫度進行考慮·☁。

  準則2

  要斷開(切換)閘流管(或雙向可控矽)▩◕☁,負載工作電流我們必須間▩◕☁,使能回覆至截止狀態·☁。在可能的執行環境溫度下必須能夠滿足企業上述研究條件·☁。

  準則3

在設計雙向矽膠觸發電路時▩◕☁,應儘可能避免使用3+象限(WT2-▩◕☁,+)·☁。

       準則4

為了減少雜波吸收▩◕☁,柵極線長度減小到較低·☁。 返回線直接連線到MT1(或陰極)·☁。 如果使用硬線▩◕☁,則使用螺旋雙線或遮蔽線·☁。 柵極與MT1之間的電阻1k Ω 或更小·☁。 高頻旁路電容器及柵極間串聯電阻·☁。 另一個解決方案是使用H系列低靈敏度triac·☁。

  規則5

如果 dvd/dt 或 dvcom/dt 可能導致問題▩◕☁,則在 mt1和 mt2之間新增 rc 緩衝區·☁。如果高的 dicom/dt 可能會引起問題▩◕☁,增加幾米電感和負載串聯·☁。另一個解決方案▩◕☁,使用高通雙向可控矽·☁。

  準則6

如果三端雙向可控矽開關的VDRM在嚴重和異常的電源瞬變過程中可能被超過▩◕☁,應採取以下措施之一:在負載上串聯一個電感為幾μH的不飽和電感以限制它\\ u002FDT用MOV跨接電源▩◕☁,並在電源側增加濾波電路·☁。

  準則7

  選用好的門極觸發控制電路▩◕☁,避開3+象限工況▩◕☁,可以最大限度從而提高學生雙向可控矽的dIT/dt承受工作能力·☁。

  準則8

如果可能超過雙向CR的dIT/dt▩◕☁,負載連線幾個H無芯電感或負溫度係數·☁。另一種解決方案是在電阻性負載上使用零電壓傳導·☁。

  準則9

當裝置固定到散熱器時▩◕☁,避免對三端雙向可控矽開關施加應力·☁。 固定導線▩◕☁,然後焊接·☁。 不要將鉚釘心軸放置在裝置介面件的側面·☁。

  準則10

為了長期可靠的執行▩◕☁,rthj-a 應該保持足夠的低▩◕☁,以維持 tj 不高於 tjmax▩◕☁,相應的可能的環境溫度·☁。

這些是可控矽的使用指南·☁。正確使用不僅可以延長可控矽的使用壽命▩◕☁,還可以保證可控矽的穩定執行·☁。


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