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如何可控矽的引數

釋出時間: 2022-11-24 10:43:09    人氣│·:183 次

閘流體✘₪,又稱閘流體✘₪,是矽整流裝置中的主要裝置↟╃╃☁✘。整流橋將整流管封在一個殼內了↟╃╃☁✘。分全橋和半橋↟╃╃☁✘。全橋是將連線好的橋式整流電路的四個二極體封在一起↟╃╃☁✘。半橋是將四個二極體橋式整流的一半封在一起✘₪,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路✘₪,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路✘₪, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓↟╃╃☁✘。可控矽通常被稱之為功率半導體模組(semiconductor module)↟╃╃☁✘。最早是在1970年由西門康公司率先將模組原理引入電力電子技術領域✘₪,是採用模組封裝形式✘₪,具有三個PN接面的四層結構的大功率半導體器件↟╃╃☁✘。防反二極體繼電器100%負載電流老化試驗✘₪,透過歐共體CE認證✘₪,國際ISO9000認證✘₪,國內3C認證↟╃╃☁✘。它可以在很多場合使用↟╃╃☁✘。在不同的場合▩▩₪··、電路和負載條件下✘₪,可以選擇閘流體的重要引數✘₪,使器件執行更好▩▩₪··、壽命更長↟╃╃☁✘。

1.選擇正反向電壓

可控矽在門極無訊號✘₪,控制電流Ig為0時✘₪,在陽(A)逐一陰(K)極之間加(J2)處於反向偏置✘₪,所以✘₪,器件呈高阻抗狀態✘₪,稱為正向阻斷狀態✘₪,若增大UAK而達到一定值VBO✘₪,可控矽由阻斷忽然轉為導通✘₪,這個VBO值稱為正向轉折電壓✘₪,這種導通是非正常導通✘₪,會減短器件的壽命↟╃╃☁✘。所以必須選擇足夠正向重複阻斷峰值電壓(VDRM)↟╃╃☁✘。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時✘₪,器件的一和三PN接面(J1和J3)處於反向偏置✘₪,呈阻斷狀態↟╃╃☁✘。當加大反向電壓達到一定值VRB時可控矽的反向從阻斷忽然轉變為導通狀態✘₪,此時是反向擊穿✘₪,器件會被損壞↟╃╃☁✘。而且VBO和VRB值隨電壓的重複施加而變小↟╃╃☁✘。在感性負載的情況下✘₪,如磁選裝置的整流裝置↟╃╃☁✘。在關斷的時候會產生很高的電壓( ∈=-Ldi/dt)✘₪,假如電路上未有良好的吸收回路✘₪,此電壓將會損壞可控矽↟╃╃☁✘。因此✘₪,可控矽也必須有足夠的反向耐壓VRRM↟╃╃☁✘。

可控矽在變流器(如電機車)中工作時✘₪,必須自己能夠以電源系統頻率進行重複地經受到了一定的過電壓而不影響其工作✘₪,所以正反向峰值電壓技術引數VDRM▩▩₪··、VRRM應保證在正常生活使用不同電壓達到峰值的2-3倍以上✘₪,考慮到學生一些問題可能會導致出現的浪湧電壓環境因素✘₪,在選擇代用引數的時候,只能向高一檔的引數可以選取↟╃╃☁✘。

2. 選擇額定工作電流引數

閘流體額定電流為一定條件下的通態均勻電流IT✘₪,即在+40 ℃ 環境溫度和規定的冷卻條件下✘₪,器件處於單相工頻正弦半波電路中✘₪,電阻負載下導通角不小於70 ℃↟╃╃☁✘。 額定結溫穩定時允許通態均勻電流↟╃╃☁✘。 一般變頻器工作時✘₪,各臂閘流體的電流係數不均勻↟╃╃☁✘。 在大多數情況下✘₪,閘流體不可能在170 ℃ 的導通角下工作✘₪,通常小於該導通角↟╃╃☁✘。 因此✘₪,閘流體的額定電流必須選擇得稍大一點✘₪,它應該是正常電流均勻性值的1.5-2.0倍↟╃╃☁✘。

3.選擇關斷時間

如果在陽極電流降至0之後立即加上正極電壓✘₪,即使沒有柵極訊號✘₪,閘流體也會再次導通✘₪,如果在再次加上正極電壓之前✘₪,裝置經過一段時間的反向偏置電壓✘₪,不會誤導裝置啟動✘₪,也就是說✘₪,在閘流體關斷後恢復其閉鎖能力需要一定的時間↟╃╃☁✘。從電流透過 o 到正向電壓能夠中斷的時間間隔為閘流體的關斷時間 tg✘₪,它由反向恢復時間 t 和門極恢復時間 t 組成↟╃╃☁✘。普通閘流體的 tg 為150ー200μs✘₪,可用於一般的電力混頻器✘₪,但在大感性負載的情況下可以作出一些選擇↟╃╃☁✘。


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